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AON2405
20V P-Channel MOSFET
General Description
Product Summary
The AON2405 combines advanced trench MOSFET
technology with a low resistance package to provide
extremely low R DS(ON) . This device is ideal for load switch
and battery protection applications.
V DS
I D (at V GS =-4.5V)
R DS(ON) (at V GS =-4.5V)
R DS(ON) (at V GS =-2.5V)
-20V
-8A
< 32m ?
< 41m ?
DFN 2x2B
R DS(ON) (at V GS =-1.8V)
R DS(ON) (at V GS =-1.5V)
< 56m ?
< 70m ?
D
Top View
Bottom View
D
S
D
S
D
Pin 1
Pin 1
G
D
D
G
S
Absolute Maximum Ratings T A =25°C unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Maximum
-20
±8
Units
V
V
Continuous Drain
Current G
Pulsed Drain Current
Power Dissipation A
C
T A =25°C
T A =70°C
T A =25°C
T A =70°C
I D
I DM
P D
-8
-6
-32
2.8
1.8
A
A
W
Junction and Storage Temperature Range
T J , T STG
-55 to 150
°C
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Typ
Max
Units
Maximum Junction-to-Ambient A
Maximum Junction-to-Ambient A D
t ≤ 10s
Steady-State
R θ JA
37
66
45
80
°C/W
°C/W
Rev 2 : Sep. 2012
www.aosmd.com
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